Leistungsmodul

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4794515

Anmeldetag

20. Januar 2026

Veröffentlichung

19. August 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul (100), wobei das Leistungsmodul (100) einen Träger mit einer Isolationsschicht und mindestens einer strukturierten Metallisierung aufweist, wobei auf der strukturierten Metallisierung mindestens eine Halbbrücke für einen 3-Level T-Type Wechselrichter angeordnet ist, wobei die Halbbrücke mindestens zwei High-Side-Schalter (S<1U1>, S<1U2>), mindestens zwei Low-Side-Schalter (S<2U1>, S<2U2>) und zwei Mittelpunktschalter (S<3U>, S<4U>) aufweist, wobei die High-Side-Schalter (S<1U1>, S<1U2>) mit mindestens einem positiven Anschluss (DC+), die Low-Side-Schalter (S<2U1>, S<2U2>) mit mindestens einem negativen Anschluss (DC-) und die Mittelpunktschalter (S<3U>, S<4U>) mit einem Anschluss (N) für einen Neutralpunkt und einen Anschluss (AC) für den Mittelabgriff verbunden sind, wobei die Mittelpunktschalter (S<3U>, S<4U>) in Längsrichtung (L) mittig auf dem Träger angeordnet sind, wobei die High-Side-Schalter (S<1U1>, S<1U2>) und die Low-Side-Schalter (S<2U1>, S<2U2>) derart angeordnet sind, dass eine parasitäre Induktivität zwischen dem positiven Anschluss (DC+) und dem Anschluss (N) für den Mittelpunkt gleich einer parasitären Induktivität zwischen dem negativen Anschluss (DC-) und dem Anschluss (N) für den Neutralpunkt ist.

Anmelder

Firma

Volkswagen Aktiengesellschaft

Land

🇩🇪 Deutschland