Gassperrfilm und Herstellungsverfahren
Anmelder: Toppan Holdings Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4796316
- Anmeldetag
- 18. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 24. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B32B9/00, C23C14/10, C23C14/24
Abstract
This disclosure provides a gas barrier film including a substrate layer; and a gas barrier layer formed on the substrate layer and containing silicon oxide, wherein in an infrared absorption spectrum from a surface side of the gas barrier layer, the ratio of the peak area of the absorption peak at 3,100 cm<-1> or more and 3,700 cm<-1> or less derived from the OH bond to the peak area of the absorption peak at 720 cm<-1> or more and 1,320 cm<-1> or less derived from the Si-O-Si bond is 0.25 or less.
Anmelder
- Firma
- Toppan Holdings Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Konzern für Druck- und Verpackungstechnologien mit Sitz in Tokio, seit 1900 tätig. Produziert zudem Displays, Halbleitermasken und Sicherheitsdrucke.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München