Verfahren zur Heteroepitaktischen Abscheidung von Diamant und damit Hergestellter Wafer
Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4796680
- Anmeldetag
- 18. Februar 2026
- Veröffentlichung
- 26. August 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur heteroepitaktischen Abscheidung von Diamant (1) auf einem Substrat (2) mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), enthaltend folgende Schritte: a. Erzeugen (51) einer Nukleationsschicht auf dem Substrat (2); b. Überwachsen (52) der Nukleationsschicht mit einer Diamantschicht (15, 16) durch chemische Gasphasenabscheidung; c. Teilweises Entfernen (53) der Diamantschicht (15, 16) durch trockenchemisches Ätzen, wobei das trockenchemische Ätzen durch Einwirken eines Plasmas (3) erfolgt, welches Wasserstoff und Sauerstoff enthält oder daraus besteht; d. Überwachsen (54) der Diamantschicht (15, 16) durch chemische Gasphasenabscheidung e. Zyklisches Wiederholen der Verfahrensschritte c und d. Weiterhin betrifft die Erfindung einen solchermaßen Hergestellten Wafer, welcher Diamant enthält oder daraus besteht.
Anmelder
- Firma
- Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
10.117 Patente in unserer Datenbank