Spannungsarmer Optischer Oberflächenaufbau auf Reaktionsgebundenem Siliciumcarbid
Anmelder: II-VI Delaware, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4806871
- Anmeldetag
- 10. März 2026
- Veröffentlichung
- 16. September 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
Systems and methods are provided for low-stress optical surfacing on reaction bonded silicon carbide. A reaction bonded silicon carbide (RB-SiC) based structure may include a substrate, a physical vapor deposition (PVD) or other suitable vacuum deposition (VD) based optical layer on top of the substrate, and optionally one or more PVD (or other suitable vacuum deposition (VD) technique) based tacking layers disposed immediately on the surface of the substrate.
Anmelder
- Firma
- II-VI Delaware, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das optische Komponenten, Laser und Halbleiterbauteile für Telekommunikation, Industrie und Sensorik entwickelt, Teil von Coherent.
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