Verfahren zur Herstellung einer Leistungskomponente mit Mesa

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4823306

Anmeldetag

9. April 2026

Veröffentlichung

14. Oktober 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une microstructure en mésa (10) disposée sur une première face d'un substrat de croissance (9) en un premier matériau semi-conducteur ; le procédé comprenant les étapes suivantes :i) déposer une couche d'isolation (11), en un diélectrique, sur le substrat de croissance (9) ;ii) fabriquer une première (13a) et une deuxième structure d'isolation (13b) séparées l'une de l'autre par une ouverture (14); les parois latérales de chaque structure d'isolation s'étendent selon un plan (P1) ayant un angle (θ) par rapport au plan de substrat (X,Y) compris entre 80° et 100° ;iii) faire croitre ladite microstructure en mésa (10), en ledit premier matériau semi-conducteur, par épitaxie localisée dans l'ouverture (14) à partir du substrat de croissance (9) tel que la microstructure en mésa (10) soit confinée entre les deux structures d'isolation (13a, 13b) avec des parois latérales qui adhèrent à celles des structures d'isolation (13a, 13b).

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich