Halbleiteranordnung mit einer Metallischen Barriereschicht für ein Dielektrisches Material mit Hoher Dielektrizitätskonstant und Verfahren zur Herstellung

WO0042667 Art A1 20. Juli 2000

Anmelder: LUCENT TECHNOLOGIES INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0042667
Aktenzeichen: EP00902388
Anmeldetag: 11. Januar 2000
Veröffentlichung: 20. Juli 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/92H01L29/49H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LUCENT TECHNOLOGIES INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lucent Technologies

Ehemaliges US-amerikanisches Telekommunikationsunternehmen mit Sitz in Murray Hill, New Jersey, hervorgegangen aus AT&T. Lucent entwickelte Netzwerktechnik und Kommunikationssysteme und fusionierte 2006 mit Alcatel zu Alcatel-Lucent, heute Teil von Nokia.

2.897 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von