Integrierter Schaltkreis mit Schutzschicht aus Diamantähnlichem Amorphen Kohlenstoff

WO0060663 Art A1 12. Oktober 2000

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0060663
Aktenzeichen: EP00922459
Anmeldetag: 31. März 2000
Veröffentlichung: 12. Oktober 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/58

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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