Semiconductor heterostructures with crystalline silicon carbide alloyed with germanium

WO0062331 Art A2 19. Oktober 2000

Anmelder: UNIVERSITY OF DELAWARE, Kolodzey, James, Katulka, Gary, Guedj, Cyril 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0062331
Aktenzeichen: EP00944587
Anmeldetag: 31. März 2000
Veröffentlichung: 19. Oktober 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: UNIVERSITY OF DELAWARE
Kolodzey, James
Katulka, Gary
Guedj, Cyril
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Delaware

Die University of Delaware ist eine staatliche Universität in den USA mit breitem naturwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich über Medizintechnik, Halbleitertechnik, organische Chemie und Pharma/Biotechnologie. Die Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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