Multi-Layer Wafer Fabrication
WO0062335
Art A1
19. Oktober 2000
Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0062335
- Aktenzeichen
- EP00922021
- Anmeldetag
- 10. April 2000
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2000
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/31H01L21/469C30B23/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RAYTHEON COMPANY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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