Ätzverfahren einer Siliziumschicht in einer Plasmabehandlungskammer zur Herstellung von Tiefen Gräben

WO0063960 Art A1 26. Oktober 2000

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0063960
Aktenzeichen: EP00921947
Anmeldetag: 6. April 2000
Veröffentlichung: 26. Oktober 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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