Sic wafer, sic semiconductor device and sic wafer production method

WO0068474 Art A1 16. November 2000

Anmelder: Sixon Inc., Sumitomo Electric Industries, Ltd., The Kansai Electric Power Co., Inc., MITSUBISHI CORPORATION, Matsunami, Hiroyuki, Kimoto, Tsunenobu 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0068474
Aktenzeichen: EP00922984
Anmeldetag: 8. Mai 2000
Veröffentlichung: 16. November 2000
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/20H01L29/47

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sixon Inc.
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
The Kansai Electric Power Co., Inc.
MITSUBISHI CORPORATION
Matsunami, Hiroyuki
Kimoto, Tsunenobu
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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