Ausgestaltung einer Ecke einer in Damaszener-Technologie auf einem Substrat Hergestellten Elektrischen Leiterbahn aus insbesondere Kupfer

WO0070672 Art A1 23. November 2000

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0070672
Aktenzeichen: EP00943548
Anmeldetag: 4. Mai 2000
Veröffentlichung: 23. November 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/528

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von