Verfahren zur Erzeugung eines Vergrabenen Kontakts einer Speicherzellenanordnung

WO0072377 Art A1 30. November 2000

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0072377
Aktenzeichen: EP00943609
Anmeldetag: 16. Mai 2000
Veröffentlichung: 30. November 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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