Zweilagige Epitaxie-Schicht für Hochspannungs-Leistungs-Mosfet-Transistor mit Vertikaler Leitung

WO0075966 Art A2 14. Dezember 2000

Anmelder: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0075966
Aktenzeichen: EP00939702
Anmeldetag: 8. Juni 2000
Veröffentlichung: 14. Dezember 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 International Rectifier

International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.

427 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von