Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga(in, Al) P-Verbindungen mit Zno-Fensterschicht

WO0077863 Art A1 21. Dezember 2000

Anmelder: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0077863
Aktenzeichen: EP00951227
Anmeldetag: 14. Juni 2000
Veröffentlichung: 21. Dezember 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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