Diamond semiconductor device and method of manufacture thereof

WO0079603 Art A1 28. Dezember 2000

Anmelder: Japan Science and Technology Corporation, National Institute for Materials Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0079603
Aktenzeichen: EP00940786
Anmeldetag: 21. Juni 2000
Veröffentlichung: 28. Dezember 2000
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861H01L21/205H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Japan Science and Technology Corporation
National Institute for Materials Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology

Japan Science and Technology ist eine japanische staatliche Einrichtung zur Förderung von Wissenschaft und Technologie, aus der später die Japan Science and Technology Agency hervorging. Das Patentportfolio deckt breit Pharma und Biotechnologie, organische Chemie sowie Mess- und Prüftechnik ab. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2005.

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🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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