Diamond semiconductor device and method of manufacture thereof
WO0079603
Art A1
28. Dezember 2000
Anmelder: Japan Science and Technology Corporation, National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0079603
- Aktenzeichen
- EP00940786
- Anmeldetag
- 21. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2000
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/861H01L21/205H01L21/329
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Japan Science and Technology Corporation
National Institute for Materials Science - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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