Korrosionsbeständiges Bauteil für Anlage zur Behandlung von Halbleitern und Verfahren zu Seiner Herstellung
WO0100901
Art A1
4. Januar 2001
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0100901
- Aktenzeichen
- EP00952763
- Anmeldetag
- 14. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C28/00C23C18/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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