Polysilicon semiconductor thin film substrate, method for producing the same, semiconductor device, and electronic device
WO0101464
Art A1
4. Januar 2001
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0101464
- Aktenzeichen
- EP00939147
- Anmeldetag
- 23. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
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