Method for manufacturing a semiconductor device having a metal layer floating over a substrate

WO0104953 Art A1 18. Januar 2001

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0104953
Aktenzeichen: EP00942498
Anmeldetag: 7. Juli 2000
Veröffentlichung: 18. Januar 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/522H01F41/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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