High-frequency device and method of manufacture thereof

WO0104985 Art A1 18. Januar 2001

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0104985
Aktenzeichen: EP00940864
Anmeldetag: 28. Juni 2000
Veröffentlichung: 18. Januar 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01P1/12H01Q3/30

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

18.204 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von