Übertragung eines Musters Hoher Strukturdichte durch Multiple Belichtung Weniger Dichter Teilmuster

WO0111430 Art A1 15. Februar 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0111430
Aktenzeichen: EP00958226
Anmeldetag: 9. August 2000
Veröffentlichung: 15. Februar 2001
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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