Verfahren zum Korrigieren von Systematischen Abweichungen Niederer Raumfrequenz der Kritischen Grösse in der Lithographie

WO0111657 Art A1 15. Februar 2001

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0111657
Aktenzeichen: EP00952345
Anmeldetag: 31. Juli 2000
Veröffentlichung: 15. Februar 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/302H01J37/317G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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