Method of manufacturing semiconductor device

WO0111668 Art A1 15. Februar 2001

Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0111668
Aktenzeichen: EP00948316
Anmeldetag: 28. Juli 2000
Veröffentlichung: 15. Februar 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L21/28H01L27/04H01L27/088H01L27/092H01L29/72H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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