Verfahren zum Simultanen Aufwachsen von Oxidschichten mit Verschiedenen Dicken auf einem Halbleiterkörper mittels Selektiver Implantierungen von Sauerstoff und Stickstoff

WO0113421 Art A1 22. Februar 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0113421
Aktenzeichen: EP00961336
Anmeldetag: 14. August 2000
Veröffentlichung: 22. Februar 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/316H01L29/78H01L21/8234H01L21/265H01L21/784H01L27/088

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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