Selektive Oxydätzung zur Herstellung einer Unterschiedlich Dicken Oxyd-Schutzschicht

WO0115221 Art A1 1. März 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0115221
Aktenzeichen: EP00955392
Anmeldetag: 7. August 2000
Veröffentlichung: 1. März 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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