Verfahren zur Herstellung einer Leitenden Silizidschicht auf einem Silizium Enthaltenden Substrat, und Verfahren zur Bildung eines Leitenden Silizidkontaktes

WO0117004 Art A2 8. März 2001

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0117004
Aktenzeichen: EP00961502
Anmeldetag: 1. September 2000
Veröffentlichung: 8. März 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285H01L21/3205H01L21/306C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von