Verfahren zur Herstellung eines Hf-Fet und Hf-Fet
WO0117008
Art A1
8. März 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0117008
- Aktenzeichen
- EP00964041
- Anmeldetag
- 25. August 2000
- Veröffentlichung
- 8. März 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/417H01L21/28H01L29/49H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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