Mos-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

WO0118873 Art A1 15. März 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0118873
Aktenzeichen: EP00965826
Anmeldetag: 5. September 2000
Veröffentlichung: 15. März 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417H01L21/336H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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