Verfahren zum Plasmaätzen von Dünnen Filmen aus Schwer Trockenätzbaren Materialen

WO0120655 Art A1 22. März 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0120655
Aktenzeichen: EP00957693
Anmeldetag: 24. August 2000
Veröffentlichung: 22. März 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

368 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von