Verfahren zur Herstellung eines Lateral Monolithisch Integrierten Lichtemissions-Halbleiterbauelements und Lichtemissions-Halbleiterbauelement
WO0120689
Art A1
22. März 2001
Anmelder: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0120689
- Aktenzeichen
- EP00971243
- Anmeldetag
- 1. September 2000
- Veröffentlichung
- 22. März 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01L27/15H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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