Verfahren und Gerät um die Kammerinnerfläche in einem Halbleiterbehandlungsreaktor zu Kontrollieren
WO0123636
Art A1
5. April 2001
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0123636
- Aktenzeichen
- EP00977264
- Anmeldetag
- 26. September 2000
- Veröffentlichung
- 5. April 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/44C23C14/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
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