Verfahren zum Thermischen Wachsen einer Siliziumdioxidschicht mit im Wesentlichen Gleichförmiger Dicke in einem Graben

WO0124246 Art A1 5. April 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0124246
Aktenzeichen: EP00961377
Anmeldetag: 28. August 2000
Veröffentlichung: 5. April 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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