Verfahren zur Vermeidung der Bordiffundierung in Silizium mittels Kohlenstoff Ionenimplantierung

WO0124249 Art A1 5. April 2001

Anmelder: FRANCE TELECOM, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0124249
Aktenzeichen: EP00964381
Anmeldetag: 28. September 2000
Veröffentlichung: 5. April 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: FRANCE TELECOM
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von