Verfahren zur Herstellung einer Kristallinen P-Typ Halbleiterschicht aus einem Nitrid eines Gruppe Iii-Elements

WO0124282 Art A1 5. April 2001

Anmelder: AIXTRON AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0124282
Aktenzeichen: EP00969363
Anmeldetag: 29. September 2000
Veröffentlichung: 5. April 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: AIXTRON AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Aixtron

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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