Verfahren und Apparat zum Aufbringen von Schichten eines Kontaktes, eines Kontaktdurchganges und eines Grabens mit Hochdichte-Metalionenplasma-Titanium-Und-Cvd-Titannitrid-Schichten
WO0127982
Art A1
19. April 2001
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0127982
- Aktenzeichen
- EP00928880
- Anmeldetag
- 5. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 19. April 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.