Schichterzeugungsverfahren bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement

WO0129886 Art A1 26. April 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0129886
Aktenzeichen: EP00972625
Anmeldetag: 6. Oktober 2000
Veröffentlichung: 26. April 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von