Herstellungsverfahren für N-Kanal und P-Kanal Mosfets mit Zweifacher Schwellspannung unter Verwendung einer Einzigen Zusätzlichen Implantationsmaske

WO0137333 Art A1 25. Mai 2001

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0137333
Aktenzeichen: EP00982618
Anmeldetag: 4. Oktober 2000
Veröffentlichung: 25. Mai 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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