Nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung

WO0137347 Art A1 25. Mai 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0137347
Aktenzeichen: EP00988595
Anmeldetag: 15. November 2000
Veröffentlichung: 25. Mai 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/792H01L29/51H01L21/28H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von