Dotierungs für Flachen Übergängen Schicht mit einer Höchstkonzentration Innerhalb einer Dielektrischen Schicht

WO0143175 Art A1 14. Juni 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0143175
Aktenzeichen: EP00982404
Anmeldetag: 5. Dezember 2000
Veröffentlichung: 14. Juni 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L21/265H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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