Source/drain-on-insulator (s/doi) field effect transistor using silicon nitride and silicon oxide and method of fabrication

WO0143198 Art A2 14. Juni 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0143198
Aktenzeichen: EP00984240
Anmeldetag: 12. Dezember 2000
Veröffentlichung: 14. Juni 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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