Ion Beam Modification Of Residual Stress Gradients in Thin Film Polycrystalline Silicon Membranes

WO0146489 Art A1 28. Juni 2001

Anmelder: Trustees of Boston University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0146489
Aktenzeichen: EP00990952
Anmeldetag: 20. Dezember 2000
Veröffentlichung: 28. Juni 2001
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C23F1/00G01L1/22

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Anmelder

Firma: Trustees of Boston University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Trustees of Boston University

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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