Tunnel nitride for improved polysilicon emitter

WO0147006 Art A1 28. Juni 2001

Anmelder: SONY ELECTRONICS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0147006
Aktenzeichen: EP00992680
Anmeldetag: 8. Dezember 2000
Veröffentlichung: 28. Juni 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SONY ELECTRONICS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇯🇵 Sony Group

Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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