In Situ Entfernung von Nach-Ätzung Photoresist und Polymeren, und Ätzkammerreinigung
WO0148804
Art A1
5. Juli 2001
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0148804
- Aktenzeichen
- EP00986624
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2000
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/311G03F7/42H01L21/306H01L21/3213H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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