Inspecting device for crystal defect of silicon wafer and method for detecting crystal defect of the same

WO0148810 Art A1 5. Juli 2001

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0148810
Aktenzeichen: EP00987713
Anmeldetag: 22. Dezember 2000
Veröffentlichung: 5. Juli 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01N21/956G01N1/26C30B33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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