Verfahren zur Herstellung einer Dielektrischen Schicht mit Hohem K-Wert sowie eines Kondensators

WO0149896 Art A1 12. Juli 2001

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0149896
Aktenzeichen: EP01900874
Anmeldetag: 3. Januar 2001
Veröffentlichung: 12. Juli 2001
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/40H01L21/02H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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