Lanthanum oxide-based gate dielectrics for integrated circuit field effect transistors and methods of fabricating same
WO0154200
Art A1
26. Juli 2001
Anmelder: NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0154200
- Aktenzeichen
- EP01906574
- Anmeldetag
- 17. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 26. Juli 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/108H01L29/76
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
North Carolina State University
US-amerikanische öffentliche Universität in Raleigh mit Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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