Herstellungsverfahren für Galliumnitrid Halbleiterschichten auf Substraten mit Nicht-Galliumnitrid Pfosten, und Dadurch Hergestellte Galliumnitrid Halbleiterstrukturen
WO0159819
Art A1
16. August 2001
Anmelder: NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0159819
- Aktenzeichen
- EP00980996
- Anmeldetag
- 22. August 2000
- Veröffentlichung
- 16. August 2001
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
North Carolina State University
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