Transistor mit Doppelter Vertiefung

WO0161733 Art A2 23. August 2001

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0161733
Aktenzeichen: EP01906955
Anmeldetag: 2. Februar 2001
Veröffentlichung: 23. August 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

4.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von