Esrf source for ion plating epitaxial deposition

WO0165590 Art A2 7. September 2001

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0165590
Aktenzeichen: EP01913268
Anmeldetag: 2. März 2001
Veröffentlichung: 7. September 2001
Rechtsraum: WO
IPC: C30B23/08C30B25/06C30B25/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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