Feldeffekt-Transistoranordnung mit Hoher Latch-Up-Festigkeit und Verfahren zu deren Herstellung

WO0165606 Art A1 7. September 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0165606
Aktenzeichen: EP01913668
Anmeldetag: 14. Februar 2001
Veröffentlichung: 7. September 2001
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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